【阜部-隧道效應】
<div align="center"><font size="5"><b>【<font color="Red">阜部-隧道效應</font>】</b><br></font></div><b><br>第2106頁<br><br>【隧道效應】ㄙㄨㄟˋ ㄉㄠˋ ㄒㄧㄠˋ ㄧㄥˋ<br><br>（tunnel effect）半導體接面的位能障壁對於電子之移動有阻絕的作用，但是障壁較電子平均動能高時，電子仍有可能穿過。<br><br>當PN接合之半導體加上逆向偏壓，並逐漸增高此電壓時，則空乏區造成的位能障壁不可能克服。<br><br>但是外加電壓愈大，則障壁愈薄，因此，在P型之價電子帶中之電子不必超越電位障壁，直接穿過空乏層而進入能階相同之N型半導體中，成為自由電子，產生電流。<br><br>此種現象，稱為隧道效應。<br><br></b><p></p>
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